Leírás
Technikai paraméterek
C (in):800 pF
C (out):250 pF
Csatorna típus:P
D-S védelem:dióda
DB/tokozás:1 db
Dioda Trr(Min.):205 ns
FET típusa:MOSFET
Funkció:Enhancement Mode Low Drain-Source On Resistance
G-S védelem:van
Gyártó:TOSHIBA
Id(imp):20 A
Id(T=25):5 A
Idss (max):5 A
Láb szám:3 db
Pd:30 W
Rds(on):1 Ohm
Szerelés:furatszerelt ( THT )
td(off):70 ns
td(on):35 ns
Technológia:Silicon P Chanel Mos Fet
Tokozás:TO-220FP
Tokozás (adatlap szerint):TO-220FP
Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C
Vds(max):250 V
Vgs:20 V




