Leírás
Technikai paraméterek
Csatorna típus:P
D-S védelem:dióda
DB/tokozás:1 db
Dioda Trr(Min.):45 ms
FET típusa:MOSFET
G-S védelem:nincs
Gyártó:VISHAY
Id(imp):50 A
Id(T=100):5,9 A
Id(T=25):8,7 A
Idss (max):10 uA
Idss (min):1 uA
IGF:–
Láb szám:8 db
Pd:1,5 W
Rds(on):0,013 Ohm
ROHS:igen
Szerelés:felületszerelt ( SMD )
td(off):55 ns
td(on):18 ns
Technológia:TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET
Tokozás:SO
Tokozás (adatlap szerint):SO-8
Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C
Vds(max):40 V
Vgs:20 V
VGS(off) min.:–
Vgs(th) max.:–
Vgs(th) min.:1 V




