Leírás
Technikai paraméterek
Csatorna típus:N
DB/tokozás:1 darab
FET típusa:MOSFET
Funkció:MOS-N-FET-e
Gyártó:Samsung
Id(imp):32 A
Id(T=100):3,7 A
Id(T=25):5,8 A
Idss (max):5,8 A
Pd:35 W
Rds(on):0,45 Ohm
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Technológia:Advanced Power MOSFET
Tokozás:TO-220FP
Tokozás (adatlap szerint):TO-220F
Vds(max):250 V




