Leírás
Technikai paraméterek
C (in):40 pF
C (out):14 pF
C-E dióda:nincs
Csatorna típus:N
Funkció:Dual IGBT (Szigetelt)
G-E Dióda:nincs
Gyártó:Mitsubishi Electric Semiconductor
Ic:200 A
Ic(puls):400 A
Ic(T=100°C):200 A
Jelzés a tokon:–
Láb szám:7 db
Méret:108x62x31 mm
Pd:1500 W
ROHS:igen
Spec.info:High Power Switching use
Szerelés:furatszerelt ( THT )
td(off):300 ns
td(on):250 ns
Tokozás:egyéb
Tokozás (adatlap szerint):egyéb
Üzemi hőmérséklet:-40…+125 °C
VCE(sat):2,5 V
Vceo:1200 V
VGE:20 V
VGE(th) min.:6 V
VGE(th)max.:–




