Árengedmény Tranzisztor N-MOSFET 200V 0.6A/4.8Ap 1W 1.5R (0.38A) DIP IRFD210

C (in):140 pF

C (out):53 pF

Csatorna típus:N

D-S védelem:zener

DB/tokozás:1 db

Dioda Trr(Min.):150 ns

FET típusa:MOSFET

G-S védelem:nincs

Gyártó:International Rectifier

Gyártói rendelési szám:IRFD210PBF

Id(imp):4,8 A

Id(T=100):0,38 A

Id(T=25):0,6 A

Idss (max):250 uA

Idss (min):25 uA

Láb szám:4 db

Pd:1 W

Rds(on):1,5 Ohm

ROHS:igen

Szerelés:furatszerelt ( THT )

td(off):14 ns

td(on):8,2 ns

Technológia:HEXFET Power MOSFET

Tokozás:DIP

Tokozás (adatlap szerint):DH-1 house, DIP-4

Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C

Vds(max):200 V

Vgs:20 V

Vgs(th) min.:2 V